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標準封裝集成電路元件 IRFD9113
VGS(TH)(最大)@標識 | - |
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技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
功率耗散(最大) | - |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
工作溫度 | - |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 15V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
詳細說明 | P-Channel 60V 600mA (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 600mA (Ta) |