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標準封裝集成電路元件 IRLML5103GTRPBF
電壓 - 測試 | 75pF @ 25V |
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電壓 - 擊穿 | Micro3™/SOT-23 |
VGS(TH)(最大)@標識 | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
系列 | HEXFET® |
RoHS狀態 | Cut Tape (CT) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 760mA (Ta) |
極化 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 | IRLML5103GTRPBFCT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
製造商零件編號 | IRLML5103GTRPBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 5.1nC @ 10V |
IGBT類型 | ±20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 1V @ 250µA |
FET特點 | P-Channel |
展開說明 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 30V |
電容比 | 540mW (Ta) |