SI4876DY-T1-GE3的標籤和主體標記可在訂購後提供。
有現貨: 50773
我們的SI4876DY-T1-GE3的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看SI4876DY-T1-GE3最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對SI4876DY-T1-GE3質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保SI4876DY-T1-GE3的完整性。您還可以在此處找到SI4876DY-T1-GE3數據表。
標準封裝集成電路元件 SI4876DY-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 600mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 8-SO |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 5 mOhm @ 21A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1.6W (Ta) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 80nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 14A (Ta) |