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標準封裝集成電路元件 APTM100H46FT3G
VGS(TH)(最大)@標識 | 5V @ 2.5mA |
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供應商設備封裝 | SP3 |
系列 | POWER MOS 8™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 552 mOhm @ 16A, 10V |
功率 - 最大 | 357W |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | SP3 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Chassis Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 6800pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 260nC @ 10V |
FET型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1000V (1kV) |
詳細說明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 19A |