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標準封裝集成電路元件 IRFR18N15DTRR
電壓 - 測試 | 900pF @ 25V |
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電壓 - 擊穿 | D-Pak |
VGS(TH)(最大)@標識 | 125 mOhm @ 11A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
系列 | HEXFET® |
RoHS狀態 | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 18A (Tc) |
極化 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號 | IRFR18N15DTRR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 43nC @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 5.5V @ 250µA |
FET特點 | N-Channel |
展開說明 | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 150V |
電容比 | 110W (Tc) |