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標準封裝集成電路元件 BSM080D12P2C008
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 13.2mA |
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供應商設備封裝 | Module |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | - |
功率 - 最大 | 600W |
封装 | Tray |
封裝/箱體 | Module |
工作溫度 | 175°C (TJ) |
安裝類型 | Chassis Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 800pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | - |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Silicon Carbide (SiC) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 80A (Tc) |