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標準封裝集成電路元件 EPC2102ENGRT
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 7mA |
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供應商設備封裝 | Die |
系列 | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
功率 - 最大 | - |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | Die |
其他名稱 | 917-EPC2102ENGRCT |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 830pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 6.8nC @ 5V |
FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 23A (Tj) |