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標準封裝集成電路元件 BSS192PL6327HTSA1
VGS(TH)(最大)@標識 | 2V @ 130µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | PG-SOT89 |
系列 | SIPMOS® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
功率耗散(最大) | 1W (Ta) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | TO-243AA |
其他名稱 | BSS192PL6327 BSS192PL6327HTSA1CT BSS192PL6327INCT BSS192PL6327INCT-ND |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 104pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 6.1nC @ 10V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 2.8V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 250V |
詳細說明 | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 190mA (Ta) |