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標準封裝集成電路元件 IDH08G65C5XKSA1
電壓 - 峰值反向(最大) | Silicon Carbide Schottky |
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電壓 - 正向(Vf)(最大) | 8A (DC) |
電壓 - 擊穿 | PG-TO220-2 |
系列 | thinQ!™ |
RoHS狀態 | Tube |
反向恢復時間(trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
電阻@,女 | 250pF @ 1V, 1MHz |
極化 | TO-220-2 |
其他名稱 | IDH08G65C5 IDH08G65C5-ND SP000925204 |
工作溫度 - 結 | 0ns |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號 | IDH08G65C5XKSA1 |
展開說明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
二極管配置 | 280µA @ 650V |
描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
電流 - Vr時反向漏電 | 1.7V @ 8A |
電流 - 平均整流(Io)(每二極管) | 650V |
電容@ Vr,F時 | -55°C ~ 175°C |