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標準封裝集成電路元件 IXFT150N17T2
VGS(TH)(最大)@標識 | 4.5V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-268 |
系列 | HiPerFET™, TrenchT2™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 12 mOhm @ 75A, 10V |
功率耗散(最大) | 880W (Tc) |
封裝/箱體 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
製造商標準交貨期 | 24 Weeks |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 14600pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 233nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 175V |
詳細說明 | N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 150A (Tc) |