有現貨: 59281
我們的NSVDTC143ZET1G的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看NSVDTC143ZET1G最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對NSVDTC143ZET1G質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保NSVDTC143ZET1G的完整性。您還可以在此處找到NSVDTC143ZET1G數據表。
標準封裝集成電路元件 NSVDTC143ZET1G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
晶體管類型 | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | SC-75, SOT-416 |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 4.7 kOhms |
功率 - 最大 | 200mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | SC-75, SOT-416 |
其他名稱 | NSVDTC143ZET1GOSCT |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 19 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |