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標準封裝集成電路元件 SIHF12N65E-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-220 Full Pack |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 380 mOhm @ 6A, 10V |
功率耗散(最大) | 33W (Tc) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | TO-220-3 Full Pack |
其他名稱 | SIHF12N65E-GE3CT SIHF12N65E-GE3CT-ND |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1224pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 70nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 650V |
詳細說明 | N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 12A (Tc) |