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標準封裝集成電路元件 SQJ244EP-T1_GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
功率 - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | PowerPAK® SO-8 Dual |
其他名稱 | SQJ244EP-T1_GE3TR |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 47 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 40V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |