有現貨: 33
我們的BUV21G的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看BUV21G最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對BUV21G質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保BUV21G的完整性。您還可以在此處找到BUV21G數據表。
標準封裝集成電路元件 BUV21G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 200V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 3A, 25A |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | TO-3 |
系列 | SWITCHMODE™ |
功率 - 最大 | 250W |
封装 | Tray |
封裝/箱體 | TO-204AE |
其他名稱 | BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS |
工作溫度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 2 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 8MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 20 @ 12A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 3mA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 40A |