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標準封裝集成電路元件 APT80SM120J
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 1mA |
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Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝 | SOT-227 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 55 mOhm @ 40A, 20V |
功率耗散(最大) | 273W (Tc) |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | SOT-227-4, miniBLOC |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Chassis Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 235nC @ 20V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1200V |
詳細說明 | N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 51A (Tc) |