FQP10N20C的標籤和主體標記可在訂購後提供。
有現貨: 59398
我們的FQP10N20C的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看FQP10N20C最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對FQP10N20C質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保FQP10N20C的完整性。您還可以在此處找到FQP10N20C數據表。
標準封裝集成電路元件 FQP10N20C
電壓 - 測試 | 510pF @ 25V |
---|---|
電壓 - 擊穿 | TO-220-3 |
VGS(TH)(最大)@標識 | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
系列 | QFET® |
RoHS狀態 | Tube |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 9.5A (Tc) |
極化 | TO-220-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 6 Weeks |
製造商零件編號 | FQP10N20C |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 26nC @ 10V |
IGBT類型 | ±30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特點 | N-Channel |
展開說明 | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 200V |
電容比 | 72W (Tc) |