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標準封裝集成電路元件 RT1A060APTR
VGS(TH)(最大)@標識 | 1V @ 1mA |
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Vgs(最大) | -8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 8-TSST |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 19 mOhm @ 6A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 600mW (Ta) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱 | RT1A060APCT RT1A060APTRCT RT1A060APTRCT-ND |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 7800pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 80nC @ 4.5V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 1.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 12V |
詳細說明 | P-Channel 12V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 6A (Ta) |