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標準封裝集成電路元件 NE3512S02-T1C-A
電壓 - 測試 | 2V |
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電壓 - 額定 | 4V |
晶體管類型 | HFET |
供應商設備封裝 | S02 |
系列 | - |
功率輸出 | - |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 4-SMD, Flat Leads |
其他名稱 | NE3512S02-T1C-ACT |
噪聲係數 | 0.35dB |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
獲得 | 13.5dB |
頻率 | 12GHz |
詳細說明 | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
目前評級 | 70mA |
電流 - 測試 | 10mA |
基礎部件號 | NE3512 |