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標準封裝集成電路元件 NSS12501UW3T2G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 12V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 120mV @ 400mA, 4A |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | 3-WDFN (2x2) |
系列 | - |
功率 - 最大 | 875mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 3-WDFN Exposed Pad |
其他名稱 | NSS12501UW3T2GOSTR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 8 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 150MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2) |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 200 @ 2A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 5A |
基礎部件號 | NSS12501 |