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標準封裝集成電路元件 PUMD12/DG/B3,115
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 150mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 | SOT-363 |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 47 kOhms |
功率 - 最大 | 300mW |
封裝/箱體 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 | 934066959115 |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 230MHz, 180MHz |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount SOT-363 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |