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標準封裝集成電路元件 2SA1955FVATPL3Z
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 12V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 10mA, 200mA |
晶體管類型 | PNP |
供應商設備封裝 | CST3 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 100mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | SC-101, SOT-883 |
其他名稱 | 2SA1955FVATPL3ZCT |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 130MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 300 @ 10mA, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 400mA |