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標準封裝集成電路元件 SIA929DJ-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.1V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 64 mOhm @ 3A, 10V |
功率 - 最大 | 7.8W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
其他名稱 | SIA929DJ-T1-GE3-ND SIA929DJ-T1-GE3TR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 575pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 21nC @ 10V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 4.5A (Tc) |