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標準封裝集成電路元件 KSB1149YS
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 100V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1.2V @ 1.5mA, 1.5A |
晶體管類型 | PNP - Darlington |
供應商設備封裝 | TO-126-3 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 1.3W |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | TO-225AA, TO-126-3 |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 3A 1.3W Through Hole TO-126-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 4000 @ 1.5A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 10µA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 3A |
基礎部件號 | KSB1149 |