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標準封裝集成電路元件 IRF7521D1TR
VGS(TH)(最大)@標識 | 700mV @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | Micro8™ |
系列 | FETKY™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1.3W (Ta) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 260pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 8nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | Schottky Diode (Isolated) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 2.7V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | N-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 2.4A (Ta) |