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標準封裝集成電路元件 MJD45H11-001
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 80V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
晶體管類型 | PNP |
供應商設備封裝 | I-PAK |
系列 | - |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱 | MJD45H11-001OS |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
頻率 - 轉換 | 90MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 40 @ 4A, 1V |
電流 - 集電極截止(最大) | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 8A |
基礎部件號 | MJD45H11 |