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標準封裝集成電路元件 2SJ668(TE16L1,NQ)
VGS(TH)(最大)@標識 | 2V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | PW-MOLD |
系列 | U-MOSIII |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 170 mOhm @ 2.5A, 10V |
功率耗散(最大) | 20W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱 | 2SJ668(TE16L1NQ) |
工作溫度 | 150°C |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 700pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 10V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
詳細說明 | P-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 5A (Ta) |