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標準封裝集成電路元件 IRFH4257DTRPBF
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.1V @ 35µA |
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供應商設備封裝 | Dual PQFN (5x4) |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
功率 - 最大 | 25W, 28W |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-PowerVDFN |
其他名稱 | IRFH4257DTRPBFCT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1321pF @ 13V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 25V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 25A |