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標準封裝集成電路元件 SI3459BDV-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 6-TSOP |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
功率耗散(最大) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱 | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 33 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 350pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
詳細說明 | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 2.9A (Tc) |