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標準封裝集成電路元件 JAN2N5014
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 900V |
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晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | TO-5 |
系列 | Military, MIL-PRF-19500/727 |
RoHS狀態 | RoHS non-compliant |
功率 - 最大 | 1W |
封裝/箱體 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
工作溫度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 30 @ 20mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 10nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 200mA |