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標準封裝集成電路元件 VS-GT100TP120N
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 1200V |
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的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.35V @ 15V, 100A |
供應商設備封裝 | INT-A-PAK |
系列 | - |
功率 - 最大 | 652W |
封裝/箱體 | INT-A-PAK (3 + 4) |
其他名稱 | VSGT100TP120N |
工作溫度 | 175°C (TJ) |
NTC熱敏電阻 | No |
安裝類型 | Chassis Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(連鎖商店)@的Vce | 12.8nF @ 30V |
輸入 | Standard |
IGBT類型 | Trench |
詳細說明 | IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK |
電流 - 集電極截止(最大) | 5mA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 180A |
組態 | Half Bridge |