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標準封裝集成電路元件 KSD227GTA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 25V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 30mA, 300mA |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | TO-92-3 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 400mW |
封装 | Tape & Box (TB) |
封裝/箱體 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 300mA 400mW Through Hole TO-92-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 200 @ 50mA, 1V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 300mA |
基礎部件號 | KSD227 |