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首  頁產品展示分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3的標籤和主體標記可在訂購後提供。

SI1401EDH-T1-GE3

Mega編號 #: MEGA-SI1401EDH-T1-GE3
製造商: Electro-Films (EFI) / Vishay
包裝: Cut Tape (CT)
描述: MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
符合RoHS標準: 無鉛/符合RoHS
Datasheet:

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有現貨: 57252

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產品描述

我們的SI1401EDH-T1-GE3的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看SI1401EDH-T1-GE3最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對SI1401EDH-T1-GE3質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保SI1401EDH-T1-GE3的完整性。您還可以在此處找到SI1401EDH-T1-GE3數據表。

產品特性

標準封裝集成電路元件 SI1401EDH-T1-GE3

VGS(TH)(最大)@標識 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝 SC-70-6 (SOT-363)
系列 TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 34 mOhm @ 5.5A, 4.5V
功率耗散(最大) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
封装 Cut Tape (CT)
封裝/箱體 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱 SI1401EDH-T1-GE3CT
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 36nC @ 8V
FET型 P-Channel
FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 1.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss) 12V
詳細說明 P-Channel 12V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
電流 - 25°C連續排水(Id) 4A (Tc)

SI1401EDH-T1-GE3 的常見問題

F我們的產品質量高嗎?有質量保證嗎?
我們的產品通過嚴格的篩查,以確保用戶可以隨時退貨,如果有質量問題,可以購買真正的,保證的產品!
FMEGA SOURCE的公司可靠嗎?
我們已經成立了20多年,重點關注電子行業,並努力為用戶提供最優質的IC產品
F售後服務如何?
超過100個專業客戶服務團隊,7*24小時回答各種問題
F是代理商嗎?還是中間人?
MEGA SOURCE是來源代理,削減了中間商,最大程度地降低了產品價格,並使客戶受益

20

行業專業知識

100

訂購質量檢查

2000

客戶

15,000

庫存倉庫
MegaSource Co., LTD.