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標準封裝集成電路元件 IRLHS6376TR2PBF
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.1V @ 10µA |
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供應商設備封裝 | 6-PQFN (2x2) |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
功率 - 最大 | 1.5W |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 6-VDFN Exposed Pad |
其他名稱 | IRLHS6376TR2PBFCT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 270pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 3.6A |
基礎部件號 | IRLHS6376 |