SI8416DB-T1-GE3的標籤和主體標記可在訂購後提供。
有現貨: 50329
我們的SI8416DB-T1-GE3的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看SI8416DB-T1-GE3最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對SI8416DB-T1-GE3質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保SI8416DB-T1-GE3的完整性。您還可以在此處找到SI8416DB-T1-GE3數據表。
標準封裝集成電路元件 SI8416DB-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大) | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 6-microfoot |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | 6-UFBGA |
其他名稱 | SI8416DB-T1-GE3DKR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1470pF @ 4V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 26nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 1.2V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 8V |
詳細說明 | N-Channel 8V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 16A (Tc) |