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標準封裝集成電路元件 DRA5115G0L
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | SMini3-F2-B |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 100 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SC-85 |
其他名稱 | DRA5115G0L-ND DRA5115G0LTR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 11 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |
基礎部件號 | DRA5115 |