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標準封裝集成電路元件 IXYQ40N65C3D1
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 650V |
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的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.35V @ 15V, 40A |
測試條件 | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Td(開/關)@ 25°C | 23ns/110ns |
開關能量 | 830µJ (on), 650µJ (off) |
供應商設備封裝 | TO-3P |
系列 | XPT™, GenX3™ |
反向恢復時間(trr) | 40ns |
功率 - 最大 | 300W |
封裝/箱體 | TO-3P-3, SC-65-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
製造商標準交貨期 | 24 Weeks |
輸入類型 | Standard |
IGBT類型 | - |
柵極電荷 | 66nC |
詳細說明 | IGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-3P |
電流 - 集電極脈衝(ICM) | 180A |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 80A |