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標準封裝集成電路元件 STI100N10F7
VGS(TH)(最大)@標識 | - |
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Vgs(最大) | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | I2PAK (TO-262) |
系列 | STripFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | - |
功率耗散(最大) | - |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
工作溫度 | - |
安裝類型 | Through Hole |
製造商標準交貨期 | 38 Weeks |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 60nC @ 25V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | - |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
詳細說明 | N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 80A |